SK海力士在印第安纳州破土动工建造40亿美元HBM工厂
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韩国半导体制造商SK海力士于8月27日在印第安纳州西拉法叶的普渡大学为其耗资40亿美元的先进封装和研发设施举行了奠基仪式。该工厂将成为该公司在美国的首个生产中心,用于生产对人工智能硬件至关重要的下一代高带宽内存。该设施计划于2028年10月开放其洁净室,目标是在2029年下半年实现包括HBM4E在内的先进内存芯片的批量生产。从韩国运来的先进晶圆将在印第安纳州进行封装和测试,然后交付给英伟达等美国主要科技公司。该项目获得了《芯片与科学法案》下高达4.58亿美元的直接联邦资金和5亿美元的贷款支持。联邦、州及外交官员出席了奠基仪式,以强调国内半导体供应链安全和劳动力发展。
Timeline
- 2024年3月22日,SK海力士宣布了印第安纳工厂投资计划。
- 2024年8月27日,SK海力士在印第安纳州举行了官方奠基仪式。
- 2026年8月28日,分析师评估了区域经济影响和建设计划。
- 2028年10月1日,SK海力士的目标是完成工厂的洁净室建设。
- 2029年7月1日,下一代内存芯片的量产准备工作开始。
- 2029年12月31日,HBM4E芯片的商业量产开始运行。
- 2030年12月31日,工厂的就业人数达到约一千人。
- 2031年1月1日,全面商业运营直接供应美国大型科技客户。
- 2032年12月31日,先进封装研发测试平台达到全面运行能力。
- 2035年12月31日,长期的区域半导体制造生态系统全面建立。
Sources
Indiana Economic Development Corporation
U.S. Department of Commerce News
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